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학술대회 700 V / 20 A Double AlGaN/GaN Lateral Schottky Barrier Diodes with Recessed Anode Structure on Silicon Substrate
Cited - time in scopus Download 4 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
나제호, 이형석, 전치훈, 정동윤, 이현수, 장우진, 고상춘, 남은수
발행일
201508
출처
International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2
협약과제
15MB1500, 스마트 데이터센터용 차세대 광-전 모듈 기술, 남은수
KSP 제안 키워드
700 V, Anode structure, Schottky barriers(SBs), Silicon substrate, schottky barrier diode(SBD)