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학술대회 Improving Breakdown Voltage of SiC Schottky Barrier Diode using Field Metal Ring Structure
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저자
박준보, 김기환, 이형석, 구상모, 고상춘, 남은수
발행일
201512
출처
International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2015, pp.1-1
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
Breakdown voltage(BDV), Field metal, Metal ring, Ring structure, Schottky barriers(SBs), schottky barrier diode(SBD)