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학술지 GaN HPA MMIC 기반 Ka 대역 25 W SSPA 설계 및 제작
Cited - time in scopus Download 25 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
지홍구, 노윤섭, 최윤호, 곽창수, 염인복, 서인종, 박형진, 조인호, 남병창, 공동욱
발행일
201512
출처
한국전자파학회논문지, v.26 no.12, pp.1083-1090
ISSN
1226-3133
출판사
한국전자파학회 (KIEES)
DOI
https://dx.doi.org/10.5515/KJKIEES.2015.26.12.1083
협약과제
15DR2300, Ka대역 GaN MMIC 기반 SSPA 개발 , 노윤섭
초록
Ka 대역의 25 W급 SSPA를 제작하기 위하여 상용 0.15 μm GaN 공정을 이용 구동증폭기(Drive Amplifier : DRA) 및고출력증폭기(High Power Amplifier : HPA) 초고주파 단일 집적회로(Monolithic Microwave Integrated Circuit : MMIC)를 설계 및 제작하여 특성 평가하였고, SSPA(Solid State Power Amplifier)의 주요 부속품인 MS-to-WR28 변환기 및 WR28 전력합성기를 설계 및 제작, 평가하여 Ka 대역 GaN 기반 SSPA를 제작하였다. 제작 결과, 주파수 29~31 GHz 대역에서 포화출력 44.2 dBm 이상, 전력부가효율 16.6 % 이상, 전력이득 39.2 dB의 특성을 나타내었다.
KSP 제안 키워드
GaN HPA, High power amplifier(HPA), Microwave monolithic integrated circuits(MMIC), Solid State Power Amplifier, microwave integrated circuit, power amplifiers(PAs)