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학술대회 Ge-on-Si Photodetectors with 33 GHz Bandwidth Implemented by RPCVD
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저자
서동우, 김상훈, 김경옥, 김인규, 주지호
발행일
200809
출처
European Conference on Optical Communication (ECOC) 2008, pp.1-2
DOI
https://dx.doi.org/10.1109/ECOC.2008.4729210
협약과제
08MB1600, 실리콘 기반 초고속 광인터커넥션 IC, 김경옥
초록
We report Ge-on-Si photodetectors fabricated by RPCVD showing 3-dB bandwidth of 33 GHz for the window size of 20μm-diameter at a wavelength of 1550 nm. © 2008 IEEE.
KSP 제안 키워드
1550 nm, 3-dB bandwidth, Ge-on-Si, Window Size