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학술대회 Device Design Schemes and Electrical Characterization of Nonvolatile Memory Thin-Film Transistors with the Gate Structure of Al/P(VDF-TrFE)/Al2O3/ZnO
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
윤성민, 양신혁, 박상희, 정순원, 변춘원, 조두희, 강승열, 황치선, 유병곤
발행일
200910
출처
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM) 2009, pp.280-281
협약과제
09MB2900, 투명전자 소자를 이용한 스마트 창, 조경익
KSP 제안 키워드
Electrical characterization, Non-Volatile Memory(NVM), Thin-Film Transistor(TFT), VDF-TrFE, device design, thin film(TF)