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학술지 0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기
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저자
강동민, 민병규, 이종민, 윤형섭, 김성일, 안호균, 김동영, 김해천, 임종원, 남은수
발행일
201601
출처
한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79
ISSN
1226-3133
출판사
한국전자파학회 (KIEES)
DOI
https://dx.doi.org/10.5515/KJKIEES.2016.27.1.76
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
초록
본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 0.25 μm의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12 mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2~9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.
KSP 제안 키워드
9.5 GHZ, AlGaN/GaN HEMTs, GaN-on-SiC HEMT