In this work we report a phenomenon of the self-formation of nanostructure arrays during low-energy inductively coupled argon plasma treatment of the surface of copper indium gallium diselenide films grown by different methods on glass substrates. Selenization, pulsed laser deposition and multistage co-evaporation technological methods were used for the growth of polycrystalline CuIn1-xGaxSe2 (0.04 ?돞 x ?돞 0.45) films. The plasma treatment of the surface of the films grown by all three methods resulted in the plasma-assisted self-formation of arrays of uniform cylindrical or conical nanostructures with the surface density of (0.8-1.8) × 1011 cm-2. Using scanning electron microscopy, transmission electron microscopy and atomic force microscopy, we describe the morphological parameters and chemical composition of the fabricated nanostructures and discuss possible physical mechanisms of the observed plasma-assisted nanostructuring.
Atomic force microscope(AFM), Different methods, Glass substrate, Inductively-coupled plasma(ICP), Low energy, Morphological parameters, Physical mechanism, Plasma-assisted, Polycrystalline films, Pulsed-laser deposition(PLD), Scanning electron microscopy(S.E.M.)
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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