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학술대회 Via-holes Etching on SiC Substrate Characterized by High Etch Selectivity with GaN Epilayer
Cited - time in scopus Download 2 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
민병규, 조규준, 윤형섭, 김해천, 안호균, 임종원
발행일
201706
출처
한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1
협약과제
17ZB1700, 수요자 중심 화합물 반도체 부품산업기반강화, 강동민
KSP 제안 키워드
Etch selectivity, GaN epilayer, SiC substrate