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학술대회 Comparative Study of Normally-Off Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTs Fabricated by Gate Recess and F-treatment
Cited - time in scopus Download 3 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
정현욱, 신민정, 장성재, 도재원, 조규준, 안호균, 민병규, 김해천, 윤형섭, 김지헌, 양진모, 임종원
발행일
201802
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1
협약과제
17DB1800, GaN RF 전력증폭 소자 설계 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
Gate recess, Normally-Off, comparative study