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학술지 고전압 β-산화갈륨(β-Ga2O3) 전력 MOSFETs
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저자
문재경, 조규준, 장우진, 이형석, 배성범, 김정진, 성호근
발행일
201905
출처
전기전자재료학회논문지, v.32 no.3, pp.201-206
ISSN
1226-7945
출판사
한국전기전자재료학회
DOI
https://dx.doi.org/10.4313/JKEM.2019.32.3.201
협약과제
19PB3300, 저결함(1x104cm-2)특성의 고품위 Ga2O3 에피소재 및 1KV 이상의 항복전압을 가지는 전력소자 기술 개발, 문재경
초록
본 논문에서는 국내 최초로 항복전압 480 V 이상을 갖는 산화갈륨 MOSFETs을 시연하였다. Si-도핑된 β-Ga2O3 채널층은 Fe-도핑된 β-Ga2O3 (010) 기판위에 분자선 증착법 (MBE)으로 성장되었다. 게이트 길이 (Lg) 2 μm, 게이트-드레인 간격 (Lgd) 5 μm 소자의 경우 핀치오프 전압(Vp) 이 -6.1 V, 게이트 전압 (Vgs) -10 V 에서 항복전압이 -482 V, 드레인 누설전류 4.7 nA, 온/오프 전류비는 5.3x105으로 평가되었다. 이러한 소자의 특성은 산화갈륨 전자소자가 전기자율주행차, 철도, 태양광 및 신재생 에너지 및 산업과 같은 차세대 고전력 소자응용에 응용이 유망할 것으로 생각된다.