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학술대회 Schottky Barrier Height Modulation by ZnO Interlayer for High-Performance MoS2 Field-Effect Transistors
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
장지수, 김윤섭, 김길호, 윤선진
발행일
201911
출처
International Conference on Advanced Electromaterials (ICAE) 2019, pp.1-1
협약과제
19HB1100, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
KSP 제안 키워드
Barrier height modulation, Field-effect transistors(FETs), High performance, Schottky barrier height, Schottky barriers(SBs)