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학술대회 열 분산 효과를 이용한 GaN 대면적 FET 모델 정확도 향상
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저자
장우진, 강동민, 이상훈
발행일
202011
출처
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2020, pp.148-149
협약과제
20HB3400, 5G 통신을 위한 3.7GHz 300W급 고출력 GaN 파워트랜지스터 기술 및 전력증폭기 개발, 장우진