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학술대회 30 A / 900 V AlGaN/GaN-on-Si Double-Packaged Schottky Barrier Diodes with Controlled Passivation Edge
Cited - time in scopus Download 7 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
나제호, 이형석, 전치훈, 장현규, 김진식, 고상춘, 장우진, 문재경, 남은수
발행일
202011
출처
International Conference on Electronic Materials and Nanotechnology for Green Environment (ENGE) 2020, pp.1-1
협약과제
20HB1400, 디스플레이 일체형 투명 틀렉서블 복합 생체인식 디바이스 핵심기술 개발, 안성덕
KSP 제안 키워드
900 V, AlGaN/GaN-on-Si, Schottky barriers(SBs), schottky barrier diode(SBD)