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학술지 Effects of Recess Depth Under the Gate Area on the V th-Shift for Fabricating Normally-Off Field Effect Transistors on AlGaN/GaN Heterostructures
Cited - time in scopus Download 2 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김진식, 이형석, 배성범, 남은수, 임종원
발행일
202007
출처
Journal of Nanoscience and Nanotechnology, v.20 no.7, pp.4170-4175
ISSN
1533-4880
출판사
American Scientific Publishers (ASP)
DOI
https://dx.doi.org/10.1166/jnn.2020.17783
협약과제
19ZB1100, 3D Photo-Electronics 원천기술 개발, 백용순
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN heterostructure, Field effect transistors(Substrate temperature), Normally-Off, recess depth