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학술대회
Study on the E/D - mode AlGaN/GaN MISFET with Al2O3 gate insulator grown by Atomic Layer Deposition
Cited - time in 
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- 저자
- 발행일
- 201207
- 출처
- International Confernece on Microelectronics and Plasma Technology (ICMAP) 2012, pp.1-1
- 협약과제
- 12VB1500, 차세대 데이터센터용 에너지절감 반도체 기술, 남은수
- KSP 제안 키워드
- Atomic Layer Deposition, Gate insulator