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학술대회 Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz
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저자
장우진, 임종원, 주철원, 강동민, 이상흥, 김성일, 안호균, 윤형섭, 민병규, 김해천, 문재경, 남은수
발행일
201202
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2
협약과제
12ZB1100, 융?복합부품 핵심기술 연구, 남은수
KSP 제안 키워드
GaN HEMT, Output power