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학술대회
Printed Indium Zinc Oxide Nonvolatile Memory Thin-film Transistors with P(VDF-TrFE) Gate Insulator
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- 저자
- 발행일
- 201212
- 출처
- Asian Meeting on Ferroelectrics (AMF) 2012, pp.1-1
- 협약과제
- 12VB1300, 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발, 추혜용
- KSP 제안 키워드
- Gate insulator, Indium zinc oxide, Non-Volatile Memory(NVM), Thin-Film Transistor(TFT), VDF-TrFE, Zinc oxide(ZnO), thin film(TF)