본 연구에서는 CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 특성을 연구하였다. 이때 CH4/BCl3/Ar=3:4:16 sccm 플라즈마 안에서 TaN 박막의 최고 식각속도는 104.3 nm/min 확인 할 수 있었다. BCl3/Ar(4:16 sccm)의 가스 조건에서 3 sccm의 CH4 가스를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻었다. 또한, 3 sccm 이상의 CH4 가 첨가될 경우 식각 속도는 줄어들었으나, TaClx와 같은 식각 부산물을 감소시켜 깨끗한 TaN 표면을 얻을 수 있는 것으로 판단된다. TaN 박막을 XPS을 이용하여, CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 화학적 반응을 확인하였다. 또한, 식각된 TaN 박막 표면의 반응을 확인하기 위해 FE-SEM을 통해서 확인할 수 있었다.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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