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Journal Article
BCl3/Ar 유도결합 플라즈마 안에 CH4 가스 첨가에 따른 건식 식각된 TaN 박막 표면의 연구
- Issue Date
- 2013-05
- Citation
- 전기전자재료학회논문지, v.26, no.5, pp.335-340
- ISSN
- 1226-7945
- Publisher
- 한국전기전자재료학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 연구에서는 CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 특성을 연구하였다. 이때 CH4/BCl3/Ar=3:4:16 sccm 플라즈마 안에서 TaN 박막의 최고 식각속도는 104.3 nm/min 확인 할 수 있었다. BCl3/Ar(4:16 sccm)의 가스 조건에서 3 sccm의 CH4 가스를 첨가하였을 때 가장 높은 식각속도를 얻었다. 또한, 3 sccm 이상의 CH4 가 첨가될 경우 식각 속도는 줄어들었으나, TaClx와 같은 식각 부산물을 감소시켜 깨끗한 TaN 표면을 얻을 수 있는 것으로 판단된다. TaN 박막을 XPS을 이용하여, CH4/BCl3/Ar 플라즈마 안에서 식각된 TaN 박막 표면의 화학적 반응을 확인하였다. 또한, 식각된 TaN 박막 표면의 반응을 확인하기 위해 FE-SEM을 통해서 확인할 수 있었다.
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
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