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학술대회
Electronic Properties of (Li, Al)-doped ZnO field effect transistors fabricated by Pulsed Laser Deposition
Cited - time in 
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- 저자
- 발행일
- 201312
- 출처
- International Conference on Advanced Materials and Devices (ICAMD) 2013, pp.1-1
- 협약과제
- 13VB1900, 에너지 절감을 위한 7인치기준 2W급 환경적응 디스플레이 신모드 핵심 원천 기술 개발, 추혜용
- KSP 제안 키워드
- Doped ZnO, Electronic properties, Field effect transistors(Substrate temperature), Pulsed-laser deposition(PLD)