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학술대회 S-Band 170W Pulsed SSPA Using 30W GaN-on-Si RF Power HEMT
Cited - time in scopus Download 5 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
강동민, 임종원, 김성일, 이상흥, 이종민, 장우진, 안호균, 민병규, 윤형섭, 주철원, 김해천, 문재경, 남은수
발행일
201302
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2
협약과제
12FB1400, 선박용 레이더 스캐너 및 트랜시버 개발, 문재경
KSP 제안 키워드
GaN-on-Si, RF Power, S-Band, power HEMT