We have fabricated Cu(In,Ga)Se2 (CIGS)-based thin-film solar cells by using a cluster-type deposition system. The system is composed of a DC sputter for the Mo back electrode, a co-evaporator for the CIGS absorption layer, and a RF sputter for the ZnO and the transparent-conductive-oxide (TCO) window layers. The deposition of the CdS buffer layer was performed separately. Two solar cells with an effective area of 0.47 cm2 were fabricated using different processes. One cell, which was prepared with a 1-step process, had a larger atomic concentration of In-Ga than of Cu in the absorption layer and showed a conversion efficiency of 11.1%. The other prepared with a 3-step process had nearly the same In-Ga and Cu concentrations and showed a conversion efficiency of 15.5%. We discuss the incorporation of Cu in the two types of thin-film solar cells.
KSP 제안 키워드
Absorption layer, Atomic concentration, CdS buffer layer, Conversion efficiency(C.E.), DC sputter, Effective Area, RF sputter, Thin film solar cells, back electrode, thin film(TF), window layer
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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