BROWSE
Detail
Conference Paper
플라즈마 처리가 IZO기반 TFT의 전기적 특성과 신뢰성에 끼치는 영향
Cited - time in 
Share 
Share
- Authors
- 송창우, 홍찬화, 신재헌, 김경현, 박래만, 양지웅, 서우형, 권혁인, 정우석
- Issue Date
- 2014-11
- Citation
- 한국표면공학회 학술 대회 (추계) 2014, pp.246-247
- Publisher
- 한국표면공학회
- Language
- Korean
- Type
- Conference Paper
- Abstract
- 고사양을 요구하는 차세대 디스플레이용 소자 중 하나로 산화물 TFT(thin-film transistor)가 주목받고 있으며, 기존의 a-Si TFT보다 월등한 성능을 보인다. 소자의 특성을 개선시키기 위해 back channel 표면에 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마처리시 산소의 비중이 늘어날수록 산화물 TFT의 특성을 개선하는데 도움을 주는 것을 확인하였다.
- KSP Keywords
- A-Si, Thin-Film Transistor(TFT), back channel, thin film(TF)