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학술대회
Anticrossing Effect in GaN-Based Laser Diodes and Optimum Waveguide Structures in Ultraviolet Laser Diodes
Cited - time in 
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- 발행일
- 201412
- 출처
- International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.84-84
- 협약과제
- 13VB7300, 의료 및 정밀 가공기기용 자외선(Deep UV) 반도체 레이저 개발, 남은수
- KSP 제안 키워드
- GaN-Based, Laser diode(LD), Ultraviolet laser, Waveguide Structure