ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

논문 검색
구분 SCI
연도 ~ 키워드

상세정보

학술대회 GaN on SiC HEMT 소자의 후면 비아홀 공정의 고장 분석
Cited - time in scopus Download 3 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
민병규, 윤형섭, 김해천, 안호균, 전병철, 정연국, 임종원
발행일
201406
출처
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2014, pp.1973-1974
협약과제
14ZB1100, 수요자 중심 화합물 반도체 부품산업기반강화, 강동민
KSP 제안 키워드
GaN on SiC