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Conference Paper
Sn 도핑 농도에 따른 GZO:Sn TFT의 전기적 특성
Cited - time in 
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- Authors
- 양지웅, 신재헌, 김경현, 박래만, 송창우, 홍찬화, 서우형, 권혁인, 정우석
- Issue Date
- 2014-11
- Citation
- 한국표면공학회 학술 대회 (추계) 2014, pp.248-249
- Publisher
- 한국표면공학회
- Language
- Korean
- Type
- Conference Paper
- Abstract
- 본 연구에서는 GZO:Sn에서 Sn의 함유량에 따른 트랜지스터 특성 변화를 알아보았다. 그 결과 GZO:Sn=200W:9W 의 소자에서 가장 좋은 트랜지스터 특성을 얻을 수 있었다.