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TWDM-PON 응용을 위한 4×10 Gb/s Transimpedance Amplifier 어레이 설계 및 구현
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- Issue Date
- 2014-07
- Citation
- 한국통신학회논문지 B : 네트워크 및 서비스, v.39B, no.7, pp.440-448
- ISSN
- 1226-4717
- Publisher
- 한국통신학회 (KICS)
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- TWDM-PON 시스템 수신부에 사용될 4×10 Gb/s Transimpedance Amplifier (TIA) 어레이가 0.13 μm CMOS기술로 구현하였다. TIA의 대역폭 향상을 위하여 인덕터 피킹 기술과 1.2 V 기반의 저전압 설계기술을 제안한다. 0.5 pF PD 용량에서 7 GHz 3 dB 대역폭을 구현한다. 1.2V 공급에서 채널당 31 mW를 소모하는 동안Trans-resistance gain 은 71.81 dBΩ이다. TIA의 입력 감도는 -33.62 dBm를 갖는다. 4 채널을 포함하는 전체 칩크기는 1.9 mm × 2.2 mm 이다.
- KSP Keywords
- 2 mm, TWDM-PON, Transimpedance Amplifier(TIA)