BROWSE
Detail
Journal Article
모터구동 회로 응용을 위한 대전력 전류 센싱 트렌치 게이트 MOSFET
- Issue Date
- 2016-09
- Citation
- 전기전자학회논문지, v.20, no.3, pp.220-225
- ISSN
- 1226-7244
- Publisher
- 한국전기전자학회
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문은 전류 센싱 FET가 내장되어 있고 온-저항이 낮으며 고전류 구동이 가능한 트렌치 게이트 고 전력 MOSFET를 제안하고 전기적 특성을 분석하였다. 트렌치 게이트 전력 소자는 트렌치 폭 0.6 ㎛, 셀 피치 3.0 ㎛로 제작하였으며 내장된 전류 센싱 FET는 주 전력 MOSFET와 같은 구조이다. 트렌치 게이트 MOSFET의 집적도와 신뢰성을 향상시키기 위하여 자체 정렬 트렌치 식각 기술과 수소 어닐링 기술을 적용하였다. 또한, 문턱전압을 낮게 유지하고 게이트 산화막의 신뢰성을 증가시키기 위하여 열 산화막과 CVD 산화막을 결합한 적층 게이트 산화막 구조를 적용하였다. 실험결과 고밀도 트렌치 게이트 소자의 온-저항은 24 mΩ, 항복 전압은 100 V로 측정되었다. 측정한 전류 센싱 비율은 약 70 정도이며 게이트 전압변화에 대한 전류 센싱 변화율은 약 5.6 % 이하로 나타났다.
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
(CC BY NC)
