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학술대회
Threshold Voltage Shift of 0.2 μm AlGaN/GaN MISHFET with Fluorinated Gate Dielectric
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- 발행일
- 201607
- 출처
- International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
- 협약과제
- 16ZB1400, ESSOP CUBE 기술 기반 차세대 레이더 3D 모듈 개발, 이진호
- KSP 제안 키워드
- Threshold voltage shift, gate dielectric, threshold voltage(Vth)