상세정보
학술지
Gate-Tunable Hole and Electron Carrier Transport in Atomically Thin Dual-Channel WSe2/MoS2 Heterostructure for Ambipolar Field-Effect Transistors
- 저자
- 이인열, Servin Rathi, Dongsuk Lim, Lijun Li, Jinwoo Park, Yoontae Lee, Kyung Soo Yi, Krishna P. Dhakal, Jeongyong Kim, 이창구, Gwan-Hyoung Lee, Young Duck Kim, James Hone, 윤선진, 윤두협, 김길호
- 발행일
- 201611
- 출처
- Advanced Materials, v.28 no.43, pp.9519-9525
- ISSN
- 0935-9648
- 출판사
- WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA
- 협약과제
- 16MB1300, 차세대 신기능 스마트디바이스 플랫폼을 위한 대면적 이차원소재 및 소자 원천기술 개발, 윤선진
- KSP 제안 키워드
- Electron carrier, Field-effect transistors(FETs), ambipolar field-effect transistors, atomically thin, carrier transport, dual-channel, gate-tunable