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학술대회
Investgation of GaN Channel Quality on the Device Properties in AIGaN/GaN HEMTs
Cited - time in 
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- 발행일
- 201607
- 출처
- International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
- 협약과제
- 16MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
- KSP 제안 키워드
- Device properties, GaN HEMT, channel quality