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학술대회 Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate
Cited - time in scopus Download 6 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
도재원, 신민정, 정현욱, 김해천, 민병규, 안호균, 윤형섭, 조규준, 임종원, 권용환, 남은수
발행일
201602
출처
한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
GaN HEMT, SiC substrate