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학술대회 Ultra-low Rate Dry Etching Conditions for Fabrication of Normally-off Field Effect Transistor on AlGaN/GaN Heterostructure
Cited - time in scopus Download 4 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김진식, 이형석, 나제호, 고상춘, 남은수, 임종원
발행일
201607
출처
International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1
협약과제
16MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원