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Conference Paper 4H-SiC JBS Diode의 Schottky 면적에 따른 전기적 특성에 관한 연구
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
원종일, 박건식, 구진근, 박종문, 유성욱, 노태문, 김상기
Issue Date
2016-11
Citation
대한전자공학회 학술 대회 (추계) 2016, pp.1057-1058
Publisher
대한전자공학회
Language
Korean
Type
Conference Paper
KSP Keywords
4H-SiC