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ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력증폭기 MMIC
- Issue Date
- 2017-01
- Citation
- 한국전자파학회논문지, v.28, no.1, pp.1-9
- ISSN
- 1226-3133
- Publisher
- 한국전자파학회 (KIEES)
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- 본 논문에서는 한국전자통신연구원(ETRI)에서 구축한 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 소자특성을 소개하고, 이를 이용한 X-대역 3 W GaN 전력증폭기 MMIC 설계․제작 결과를 논의한다. X-대역 동작에 적합한 GaN HEMT 소자를 선정하여 GaN 전력증폭기 MMIC를 1단으로 설계하고 제작하였으며, 이를 통하여 ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 특성을평가하고 분석하였다. X-대역 GaN 전력증폭기 MMIC 제작 결과, 출력전력 3.5 W, 이득 10 dB 및 전력부가효율 35 % 특성을 얻었다.
- KSP Keywords
- GaN HEMT
This work is distributed under the term of Creative Commons License (CCL)
(CC BY NC)
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