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학술대회
Total Ionizing Dose Effects on GaN-based HEMTs and MOSHEMTs: Effects of Channel Thickness and Epitaxial MgCaO as Gate Dielectric
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- 저자
- M. Bhuiyan, H. Zhou, 장성재, X. Lou, X. Gong, K. Ni, R. Jiang, H. Gong, E. X. Zhang, 원철호, R. G. Gordon, 임종원, 이정희, R. A. Reed, D. M. Fleetwood, P. Ye, T. P. Ma
- 발행일
- 201612
- 출처
- Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC) 2016, pp.1-2
- 출판사
- IEEE
- 협약과제
- 16MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
- KSP 제안 키워드
- Channel thickness, GaN-Based, Total ionizing dose effects, gate dielectric