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학술대회
Normally-off AlGaN/GaN Field Effect Transistors with Recessed Gate using Ultra-low Rate Dry Etching Conditions
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- 발행일
- 201702
- 출처
- 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-1
- 협약과제
- 16MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
- KSP 제안 키워드
- Etching conditions, Field effect transistors(Substrate temperature), Field-effect transistors(FETs), Low-rate, Normally-Off, dry etching, recessed gate