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학술대회 AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화
Cited - time in scopus Download 2 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
민병규, 윤형섭, 안호균, 김해천, 조규준, 이종민, 김성일, 강동민, 이상흥, 주철원, 김동영, 장유진, 임종원
발행일
201506
출처
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN HEMTs