학술지
Thickness Modulation Effects of Al2O3 Capping Layers on Device Performance for the Top-Gate Thin-Film Transistors Using Solution-Processed Poly(4-Vinyl Phenol)/Zn-Sn-O Gate Stacks
Solution-processed Zn-Sn-O (ZTO) top-gate thin-film transistors with Al2O3/poly(4-vinyl phenol) (PVP) double-layered gate insulators (GI) were fabricated and characterized. ZTO active channel was formed by spin-coating method and activated at a temperature as low as 350 °C. The chemical damages for the PVP films, which were induced during the photolithography-based patterning process were effectively suppressed by the introduction of Al2O3 capping layer. This capping layer also played an important role in improving the drain current hysteretic behaviors caused by intrinsic properties of the PVP film by modulating the capacitance coupling in the double-layered GI. The carrier mobility, subthreshold swing, and on/off ratio were obtained as approximately 5.13 cm2V-1s-1, 0.36 V/dec, 7.03 × 106, respectively, with hysteresis-free characteristics when the thickness values of Al2O3 capping and PVP GI layers were designed to be 90 and 220 nm, respectively.
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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