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학술대회 Trenched sinker LDMOSFET (TS-LDMOS) structure for high power amplifier application above 2 GHz
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김천수, 박정우, 유현규
발행일
200112
출처
International Electron Devices Meeting (IEDM) 2001, pp.887-890
DOI
https://dx.doi.org/10.1109/IEDM.2001.979655
KSP 제안 키워드
High power amplifier(HPA), power amplifiers(PAs)