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Conference Paper 1700V급 4H-SiC 쇼트키 다이오드를 위한 Edge Termination (Single/Double Zone JTE)의 항복 전압 특성
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Authors
원종일, 조두형, 박건식, 구진근, 김상기
Issue Date
2015-06
Citation
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.212-214
Language
Korean
Type
Conference Paper
Project Code
15ZB1600, Development of SiC based trench type next generation power device, Kim Sang Gi
KSP Keywords
4H-SiC, Edge termination