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학술대회 1700V급 4H-SiC 쇼트키 다이오드를 위한 Edge Termination (Single/Double Zone JTE)의 항복 전압 특성
Cited - time in scopus Download 7 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
원종일, 조두형, 박건식, 구진근, 김상기
발행일
201506
출처
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.212-214
협약과제
15ZB1600, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기
KSP 제안 키워드
4H-SiC, Edge termination