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학술대회 완전 결핍 SOI MOSFET의 계면 트랩 밀도에 대한 급속 열처리 효과
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
오지훈, 조원주, 양종헌, 임기주, 백인복, 안창근, 이성재
발행일
200307
출처
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2003, pp.711-714
협약과제
03MB1400, 실리콘 미래 신소자 원천 기술 개발, 이성재