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Conference Paper Elevated Polysilicon source/drain 구조와 고유전율 절연막을 적용한 초미세 SOI MOSFET 의 제작 및 특성 연구
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
임기주, 조원주, 안창근, 양종헌, 오지훈, 맹성렬, 이성재, 황현상
Issue Date
2003-07
Citation
대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2003, pp.715-718
Publisher
대한전자공학회
Language
Korean
Type
Conference Paper
KSP Keywords
SOI MOSFET