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SOA 집적 XPM형 파장변환기 모듈 제작 및 특성
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- Issue Date
- 2003-10
- Citation
- 한국광학회지, v.14, no.5, pp.509-514
- Language
- Korean
- Type
- Journal Article
- Abstract
- SOA(Semiconductor Optical Amplifier)를 단일 기판에 집적한 Mach-Zehnder 간섭계 구조의 파장변환기를 제작하여 40 ㎚ 대역폭에 대한 10 Gb/s 파장변환 특성을 조사하였다. 제작된 파장변환기는 BRS(Buried Ridge Structure)형 SOA와 수동 도파로를 butt-joint 결합하여 단일 집적한 구조이다. 집적화 과정에서 높은 도파 손실을 발생시키는 p+lnP 덮개층을 제거하고 무 첨가 InP로 도파로 덮개층 및 전류 차단층을 동시에 형성시키는 새로운 방법을 이용하였고, 모듈 제작에서 경사진 도파로와 광섬유를 효율적으로 광 접속하기 위하여 경사진 광섬유 배열을 제작하여 사용하였다. 이와 같이 제작된 파장변환기 모듈을 이용하여 1535-1575 ㎚의 40 ㎚ 대역폭에서 1 ㏈ 이하의 power penalty를 갖는 10 Gb/s 파장변환을 구현하였고, 특히 negative penalty를 갖는 파장변환을 성공적으로 구현함으로써 2R(fe-amplification, fe-shaping) 기능을 제공할 수 있음을 보였다.
- KSP Keywords
- Mach-Zehnder(MZ), Ridge structure, Semiconductor optical amplifiers(SOAs), butt-joint