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학술대회 6인치 4H-SiC Wafer 기반 1700V 급 SiC Power Diode 제작 및 특성 평가
Cited - time in scopus Download 8 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
원종일, 박건식, 조두형, 김상기
발행일
201511
출처
한국세라믹학회 학술 대회 (추계) 2015, pp.1-1
협약과제
15ZB1600, SiC 기반 트렌치형 차세대 전력소자 핵심기술 개발, 김상기
KSP 제안 키워드
4H-SiC, Power Diode