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Conference Paper 6인치 4H-SiC Wafer 기반 1700V 급 SiC Power Diode 제작 및 특성 평가
Cited - time in scopus Share share facebook twitter linkedin kakaostory
Authors
원종일, 박건식, 조두형, 김상기
Issue Date
2015-11
Citation
한국세라믹학회 학술 대회 (추계) 2015, pp.1-1
Publisher
한국세라믹학회
Language
English
Type
Conference Paper
KSP Keywords
4H-SiC, Power Diode