14PS5800, 외부충전없이 반영구적으로 사용이 가능한 10mWH/cm2급 동위원소기반 전고상 하이브리드 전지 원천기술 개발,
박경환
초록
The method and conditions of Ni plating were optimized to maximize the output of a betavoltaic battery using radioactive 63Ni. The difference of the short circuit currents between the pre-and postdeposition of 63Ni on the PN junction was 90 nA at the I-V characteristics. It is suspected that the beta rays emitted from 63Ni did not deeply penetrate into the PN junction due to a Ni seed layer with a thickness of 500 횇. To increase the penetration of the beta rays, electroless Ni plating was carried out on the PN junction without a seed layer. To establish the electroless coating conditions for 63Ni, nonradioactive Ni was deposited onto a Si wafer without flaws on the surface. This process can be applied for electroless Ni plating on a PN junction semiconductor using radioactive 63Ni in further studies.
KSP 제안 키워드
Electroless Ni plating, Electroless coating, Electroless deposition, I-V characteristic(Transport property), Initialization Vector(IV), P-N junction, Seed layer, Short-Circuit Current, Si wafer
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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