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학술대회 A Novel Method to Fabricate Recessed SiGe Source/Drain using a selective Si and SiGe Epitaxial Growth without Etching Process
Cited - time in scopus Download 2 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
김상훈, 배현철, 이자열, 이상흥
발행일
200511
출처
MRS Meeting 2005 (Fall), pp.1-2
협약과제
05MB3400, H/W로 재구성 가능한 차세대 지능형 통합단말용 SoC(차세대 통합 휴대 단말 기술), 조경익
KSP 제안 키워드
Etching process, SiGe Source, SiGe epitaxial growth, novel method