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Journal Article PRAM 기술 전망
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Authors
박영삼, 윤성민, 유병곤
Issue Date
2005-12
Citation
전자통신동향분석, v.20, no.6, pp.62-69
ISSN
1225-6455
Publisher
한국전자통신연구원 (ETRI)
Language
Korean
Type
Journal Article
DOI
https://dx.doi.org/10.22648/ETRI.2005.J.200606
Abstract
세계 최고 권위의 반도체 시장 조사기관인 Gartner Dataquest는 2004년 세계 메모리 시장 규모는 480억 달러로 2003년의 335억 달러 대비 43% 성장하였다고 보고하고 있다[1]. 또한 DRAM은 55%, 플래시 메모리는 35%를 차지하고 있으며, 이들 두 메모리가 전체 메모리 시장을 양분하고 있다[1]. DRAM은 cost 및 random access가 가능하다는 장점을 가지고 있지만 휘발성이라는 단점을 가지고 있으며, 플래시 메모리는 cost 및 비휘발성의 장점을 보유하고 있으나 random access가 불가능하다는 단점을 보유하고 있다. 하지만, PRAM은 DRAM과 플래시 메모리의 장점만을 융합한 통합형 메모리로서, 현재 가장 각광받고 있으며 양산화에 가장 근접한 메모리이다. 본 고에서는 PRAM의 구조 및 동작특성, 개발동향 및 향후 전망에 대해 논의하고자 한다.