A 100 W-class GaN transistor is developed based on the ETRI's proprietary 4-inch AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) process and device technologies for the high power of 200 W solid state power amplifier (SSPA) applied to S-band ship radar system. For systematically comparative study of the developed power devices, two SSPA modules based on ETRI's and Cree's commercial GaN HEMTs products are fabricated and tested. After a comparison of both measured module results, good radar images for both SSPAs are successfully obtained with almost the same performances. To our best knowledge, this is the first report of SSPA ship radar with GaN power devices in Korea
KSP 제안 키워드
100 W-class, GaN HEMT, GaN power device, GaN transistor, High electron mobility transistor(HEMT), Radar System, Radar image, S-Band, Solid State Power Amplifier, comparative study, high power devices
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<출처표시방법 안내> 작성자, 저작물명, 출처, 권호, 출판년도, 이용조건 [예시1] 김진미 외, "매니코어 기반 고성능 컴퓨팅을 지원하는 경량커널 동향", 전자통신동향분석, 32권 4호, 2017, 공공누리 제4유형 [예시2] 심진보 외, "제4차 산업 혁명과 ICT - 제4차 산업 혁명 선도를 위한 IDX 추진 전략", ETRI Insight, 2017, 공공누리 제 4유형
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