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학술대회 Novel Device Structure of Large Periphery AlGaN/GaN MIS-HEMT for Current Density Improvement
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저자
박영락, 김정진, 장우진, 이형석, 박준보, 문재경, 고상춘
발행일
201509
출처
International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) 2015, pp.1-2
협약과제
15MB1800, 고효율 GaN 기반 기지국/단말기용 핵심부품 및 모듈 개발, 임종원
KSP 제안 키워드
AlGaN/GaN MIS-HEMT, Device structure, Novel device, current density