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학술대회 10-nm-Gate-Length n-type Schottky barrier MOSFETs with High Current Drivability
Cited - time in scopus Download 0 time Share share facebook twitter linkedin kakaostory
저자
장문규, 김약연, 전명심, 최철종, 김태엽, 박병철, 이성재
발행일
200606
출처
Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW) 2006, pp.1-2
협약과제
06MB1600, 정보통신용 고기능 반도체 나노 신소자 기술, 이성재
KSP 제안 키워드
High current, N-type, Schottky barrier, current drivability